[发明专利]使用纳米颗粒的顶栅薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200710000776.3 | 申请日： | 2007-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101047130A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 金相植;赵庚娥;金东垣;张宰源 | 申请（专利权）人： | 高丽大学校算学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造使用纳米颗粒的薄膜晶体管的方法以及通过该方法制造的薄膜晶体管。在衬底上沉积亲水性缓冲层，以促进纳米颗粒膜的形成。将烧结的纳米颗粒用作有源层，将高介电系数的介电材料用作栅极介电层，以在栅极介电层上形成顶栅电极，由此能够实现低电压运行和低温制造。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 纳米 颗粒 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造使用纳米颗粒的薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上形成纳米颗粒膜并烧结所述衬底上的纳米颗粒膜；在纳米颗粒膜上形成源和漏电极；通过在其上形成有源和漏电极的纳米颗粒膜上沉积介电材料来形成栅极介电膜；和在栅极介电膜上形成顶栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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