[发明专利]提高SiC晶体质量的方法和SiC半导体器件

摘要

本发明的目的在于提供一种通过高温退火有效地减少或消除载流子俘获中心来提高SiC层质量的方法和通过该方法制造的SiC半导体器件。该通过消除或者减少部分载流子俘获中心提高SiC层质量的方法包括：(a)执行离子注入碳原子、硅原子、氢原子或氦原子到SiC晶体层(E)内的浅表面层(A)中以导入多余的碳间隙到注入的表面层中，及(b)加热该层使导入到表面层中的碳间隙(C)从注入的表面层(A)扩散到本体层(E)中，以及使本体层中的电活性点缺陷失去活性。经过以上步骤后，表面层(A)可以被蚀刻或者机械地去除。根据本发明的半导体器件用该方法制造。

主权项

1.一种通过消除或者减少长成的SiC晶体层中的载流子俘获中心来提高SiC晶体质量的方法，包括步骤：(a)执行离子注入到SiC晶体层的浅表面层中以导入碳间隙到表面层中，及(b)加热SiC晶体使导入到表面层中的碳间隙从表面层扩散到本体层中，并使碳间隙与点缺陷结合，从而使本体层中的电活性点缺陷失去活性。