[发明专利]用于抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物及使用该组合物生产半导体集成电路器件的方法有效
| 申请号： | 200680055586.5 | 申请日： | 2006-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101506941A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 尹熙灿;金相均;林相学;金美英;高尚兰;鱼东善;金钟涉;金到贤 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;张 英 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。这种硬掩模组合物含有：(a)由[RO]3Si-R′(1)表示的化合物制备的含烷氧基有机硅烷聚合物(其中R是甲基或乙基，而R′是取代或未取代的环状或无环烷基)，或由式1的化合物和[RO]3Si-Ar(2)表示的化合物(其中R是甲基或乙基，而Ar是含芳环官能团)制备的含烷氧基有机硅烷聚合物；和(b)溶剂。该硬掩模组合物具有优良的膜特性。另外，该硬掩模组合物表现出优良的硬掩模特性，由此能够把好的图案有效地转印到材料层。特别地，该硬掩模组合物在储存期间是高度稳定的。进而本申请还公开了一种用于采用该硬掩模组合物生产半导体集成电路器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抗蚀剂 下层 模组 使用 组合 生产 半导体 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物，所述硬掩模组合物含有：(a)由式1表示的化合物制备的含烷氧基有机硅烷聚合物：[RO]3Si-R′ (1)(其中R是甲基或乙基，而R′是取代或未取代的环状或无环烷基)，或由式1的化合物和式2表示的化合物制备的含烷氧基有机硅烷聚合物：[RO]3Si-Ar (2)(其中R是甲基或乙基，而Ar是含芳环官能团)；和(b)溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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