[发明专利]基于新型钛、锆和铪前体的高k介电膜的形成方法及其用于半导体制造的用途

摘要

使用带有戊二烯基配体和/或环戊二烯基配体的前体在至少一个载体上形成含至少一种金属的介电膜的方法，该膜具有式(M¹_1-aM²_a)O_bN_c，其中：0≤a＜1，0＜b≤3，优选地1.5≤b≤2.5，0≤c≤1，优选地0≤c≤0.5，M¹和M²是金属Hf、Zr或Ti。

主权项

1. 在至少一个载体上形成含至少一种金属的介电膜的方法，该介电膜具有式(M11-aM2a)ObNc，其中：0≤a<10

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