[发明专利]低温氨矫正催化剂无效

专利信息
申请号: 200680052484.8 申请日: 2006-12-08
公开(公告)号: CN101365535A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 杨经伦;吕碧英;何嘉仪;M·A·巴纳尔 申请(专利权)人: 香港科技大学
主分类号: B01J23/22 分类号: B01J23/22;B01J23/24;B01J23/26;B01J23/28;B01J23/30;B01J23/34;B01J37/02;B01J37/08;B01D53/86
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 过晓东
地址: 中国香港*** 国省代码: 中国香港;81
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种催化材料,其包括一种金属氧化物催化剂,所述金属氧化物催化剂固着于作为载体的纳米级金属氧化物晶体上,并且在低温下很好地发挥作用。所述催化材料可以任选地包括另一种金属氧化物作为助催化剂,其沉积在载体表面上以改变金属氧化物催化剂的性能和/或载体的性能。所述催化剂可以是氧化钒、氧化钨、氧化锰、氧化铬或氧化钼;所述载体可以是TiO2、SiO2、Al2O3、ZrO2和WO3;所述助催化剂可以是氧化钒、氧化钨、氧化锰、氧化铬或氧化钼。本法明还涉及一种制备所述催化材料的方法,其包括:将金属催化剂前体沉积在金属氧化物载体的表面上;将所述金属催化剂前体转化为活性金属氧化物催化剂;和从所述载体的表面上除去过量的羟基。该催化材料可用于去除氨或其它含氮污染物。
搜索关键词: 低温 矫正 催化剂
【主权项】:
1.一种催化材料,其包括第一金属氧化物和第二金属氧化物,所述第二金属氧化物是具有表面的晶体,所述第一金属氧化物是非晶体形式的催化剂,其沉积在所述第二金属氧化物的表面上;所述第一金属氧化物是单体形式或聚合物形式或单体与聚合物的混合物形式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港科技大学,未经香港科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680052484.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top