[发明专利]有机发光晶体管元件及其制造方法无效
申请号: | 200680052303.1 | 申请日: | 2006-12-01 |
公开(公告)号: | CN101336491A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 小幡胜也;半田晋一;秦拓也;中村健二;吉泽淳志;远藤浩幸 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;G09F9/30;H01L27/32;H05B33/10;H05B33/22;H05B33/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘冬;孙秀武 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是一种有机发光晶体管元件,包括:衬底;在衬底上表面上设置的辅助电极层;在辅助电极层的上表面上设置的绝缘膜;在绝缘膜的上表面上局部地设置的第一电极,该第一电极覆盖预定大小的区域;在第一电极的上表面上设置的电荷抑制层,电荷注入抑制层在平面图中具有与第一电极相同的大小;在绝缘膜的上表面上未设第一电极的区域和电荷注入抑制层的上表面上设置的电荷注入层;在电荷注入层的上表面上设置的发光层;以及在发光层上设置的第二电极层。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光晶体管元件,包括:衬底;在所述衬底的上表面侧设置的辅助电极层;在所述辅助电极层的上表面侧设置的绝缘膜;在所述绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极,所述第一电极覆盖预定大小的区域;在所述第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层,所述电荷注入抑制层在平面图中具有比所述第一电极大的形状;在所述绝缘膜的上表面侧未设所述第一电极或所述电荷注入抑制层的区域和所述电荷注入抑制层的上表面上设置的电荷注入层;在所述电荷注入层的上表面上设置的发光层;以及在所述发光层的上表面侧设置的第二电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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