[发明专利]高效太阳能电池的制造

摘要

本发明描述了一种形成触点结构的方法以及这样形成的触点结构。所述结构接触半导体结的下层，其中所述结包括半导体材料的下层，并且通过产生遮挡随后的金属形成的底切区与上面的半导体材料层分离。各个步骤是使用喷墨印刷技术进行的。

主权项

1.一种在包括用于接触半导体结的下层的第一触点类型的器件中形成触点结构的方法，其中所述结包括第一掺杂剂极性的半导体材料的所述下层，与所述下层相反地掺杂的上面的半导体材料层，所述方法包括：a)在所述上面的半导体材料层上形成掩蔽层；b)在所述掩蔽层中形成开口，以暴露所述半导体材料；c)在所述掩蔽层中的开口下面的所述半导体材料中形成开口，所述半导体材料中的开口被形成为：延伸穿过所述上面的半导体材料层以暴露下面的半导体材料层，并且在所述半导体材料中的开口还被形成为：在所述掩蔽层中的开口的边缘之下延伸而形成围绕所述掩蔽层中的开口的整个外围延伸的底切区，由此所述底切区整个地跨过所述下面的半导体材料层延伸；以及d)形成延伸至所述半导体材料中的开口中的金属层，以接触下面的半导体层，所述金属层与所述上面的半导体材料层隔开，由此所述金属不将所述半导体结桥接。