[发明专利]用于快速恢复整流器结构的装置及方法有效
| 申请号： | 200680051344.9 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101361194A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 理查德·弗朗西斯;范杨榆;埃里克·约翰逊;希·霍安格 | 申请（专利权）人： | 美商科斯德半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/772;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于快速恢复整流器结构的装置和方法。具体地，该结构包括第一掺杂物的衬底(120)。轻掺杂有第一掺杂物的第一外延层(140)连接到该衬底。第一金属化层(190)连接到第一外延层。多个沟槽(175)凹入第一外延层，其中，多个沟槽中的每一个均连接到金属化层。该器件还包括多个阱，每一个均掺杂第二掺杂物类型，其中，每一个阱均形成在相应沟槽下方并邻近于该相应沟槽。多个氧化层(170)形成在相应沟槽的壁和底部上。多个掺杂有第一掺杂物的沟道区形成在位于两个相应阱之间的第一外延层内。多个沟道区(150)中的每一个均比第一外延层更重掺杂有第一掺杂物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 快速 恢复 整流器 结构 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种整流器件，包括：衬底，其中所述衬底掺杂有第一掺杂物类型；第一外延层，掺杂有所述第一掺杂物类型，所述第一外延层连接到所述衬底；第一金属化层，邻近于所述第一外延层；多个沟槽，凹入所述第一外延层，其中，所述多个沟槽中的每一个均连接到所述金属化层；多个阱，每一个均掺杂有第二掺杂物类型，其中，所述多个阱中的每一个彼此分开，其中，所述多个阱中的每一个均形成在所述多个沟槽中的相应的沟槽的下方并且邻近于所述相应的沟槽；多个氧化层，所述多个氧化层中的每一个均形成在相应的沟槽的壁和底部上，从而相应的阱与所述相应的沟槽电隔离；以及多个沟道区，掺杂有所述第一掺杂物类型，所述多个沟道区形成在所述第一外延层内，其中，所述多个沟道区中的每一个均位于所述多个阱中的两个相应的阱之间，其中，所述多个沟道区中的每一个均比所述第一外延层更重掺杂有所述第一掺杂物类型。
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