[发明专利]半导体构造、半导体构造形成方法、导光导管和光信号传播组合件有效
| 申请号： | 200680051190.3 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101365971A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 钱德拉·穆利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/42;H01L21/00;H01S3/063;H01S3/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包含其中纳入有稀土元素的光信号导管。所述光信号导管可(例如)含有纳入介电材料基质内的稀土元素。举例来说，铒或铈可位于散布在光信号导管的介电材料各处的硅纳米晶体内。所述介电材料可界定用于光信号的路径，且可包裹在护套中，所述护套有助于保持所述光信号沿着所述路径。所述护套可包含任何合适的屏障材料，且可(例如)含有一种或一种以上金属材料。本发明还包含形成光信号导管的方法，其中这些方法中的一些方法是其中将所述光信号导管形成为半导体构造的一部分的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 构造 形成 方法 导管 信号 传播 组合 | ||
【主权项】：
1.一种光引导导管，其包括：内部材料，光迁移穿过所述内部材料；护套，其围绕所述内部材料且经配置以大致使光沿着由所述内部材料界定的路径迁移；且其中所述内部材料包括其中散布有一种或一种以上稀土元素的基质；在所述基质的至少一部分内所述一种或一种以上稀土元素的总浓度为至少约1×1016个原子/cm3。
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