[发明专利]可见光检测半导体辐射检测器有效
| 申请号： | 200680050446.9 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101356646A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 阿尔托·奥罗拉 | 申请（专利权）人： | 阿尔托·奥罗拉 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/112 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 一种半导体辐射检测器装置，包括半导体材料的本体层(103)，并且在本体层(303)的第一表面上按以下顺序包括：第二导电类型的半导体材料的改进的内部栅极层(104)、第一导电类型的半导体材料的阻挡层(305)，以及第二导电类型的半导体材料的像素掺杂部(131，132，133)，这些像素掺杂部用于连接到至少一个像素电压以创建对应于像素掺杂部的像素，其特征在于，该装置包括第一导电类型的第一接触部，像素电压被限定为像素掺杂部和第一接触部之间的电势差。 | ||
| 搜索关键词： | 可见光 检测 半导体 辐射 检测器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体辐射检测器装置，包括半导体材料的本体层(103)、并且在所述本体层(303)的第一表面上按以下顺序包括：第二导电类型的半导体材料的改进的内部栅极层(104)；第一导电类型的半导体材料的阻挡层(305)；以及第二导电类型的半导体材料的像素掺杂部(131、132、133)，用于连接到至少一个像素电压以创建对应于像素掺杂部的像素，其特征在于，所述装置包括第一导电类型的第一接触部，所述像素电压被定义为在所述像素掺杂部和所述第一接触部之间的电势差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
