[发明专利]具有入射辐射可选择汇聚的光电装置和设施无效
| 申请号： | 200680047632.7 | 申请日： | 2006-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101331613A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | M·纳凡特瑞 | 申请（专利权）人： | 埃里克研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;F24J2/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电装置(1)和相应设施，包括：用来将入射太阳辐射转化成直流电流的多个光电面板(3)；用来汇聚入射太阳辐射的至少一个反射表面(2)和反射汇聚元件(8)，两者以太阳光线的起点方向的方位角和/或高度位于由具有机电跟踪系统(7)的支承物(5)支承的机架(4)上，其特征在于，所述反射汇聚元件(8)还在所述反射汇聚元件(8)上设有入射辐射的遮光装置，并由所述反射汇聚元件反射至所述光电面板(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 入射 辐射 可选择 汇聚 光电 装置 设施 | ||
【主权项】：
1.光电装置(1)，包括：用来将入射太阳辐射转化成直流电流的至少一个光电面板(3)；用来汇聚入射太阳辐射的至少一个反射表面(2)和反射汇聚元件(8)，两者以太阳光线的起点方向的方位角和/或高度位于由具有机电跟踪系统(7)的支承物(5)支承的机架(4)上，其特征在于，所述反射汇聚元件(8)还设有向所述光电面板(3)反射的入射辐射的遮光装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
