[发明专利]高k/金属栅极晶体管的接触部中的硅化物层无效
| 申请号： | 200680043643.8 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101790778A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | M·T·博尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在高k/金属栅极晶体管中形成金属硅化物层的方法，包括：在衬底上形成具有牺牲栅极的晶体管；在所述衬底上沉积第一ILD层；去除所述牺牲栅极以形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内沉积高k电介质层；对所述高k电介质层进行退火；在所述栅极沟槽内沉积第一金属层；在所述第一ILD层和所述晶体管上沉积第二ILD层；蚀刻所述第一和第二ILD层以形成向下延伸到所述晶体管的源极区和漏极区的第一接触沟槽和第二接触沟槽；在所述接触沟槽内沉积第二金属层；对第二金属层进行退火以形成金属硅化物层；以及在所述第一和第二接触沟槽内沉积第三金属层以填充所述接触沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 晶体管 接触 中的 硅化物层 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：在衬底上形成具有牺牲栅极的晶体管；在所述衬底上沉积第一ILD层；去除所述牺牲栅极以形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内沉积高k电介质层；对所述高k电介质层进行退火；在所述栅极沟槽内沉积第一金属层；在所述第一ILD层和所述晶体管上沉积第二ILD层；蚀刻所述第一和第二ILD层以形成延伸到所述晶体管的源极区的第一接触沟槽以及延伸到所述晶体管的漏极区的第二接触沟槽；在所述接触沟槽内沉积第二金属层；对所述第二金属层进行退火，使所述第二金属层发生反应并在所述源极和漏极区上形成金属硅化物层；以及在所述第一和第二接触沟槽内沉积第三金属层以填充所述接触沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
