[发明专利]P－N结二极管及其制造方法

摘要

可用于瞬变电压抑制的面层注入二极管，其具有P+衬底(12)，在所述衬底的顶表面附近注入N型掺杂剂面层注入物(14)，制造出P－区域(18)。邻近P－区域且在其上层叠氧化物掩模(20)。从P－区域的一部分部分地蚀刻掉氧化物掩模，制造出蚀刻区域(22)。向所述蚀刻区域中注入N型主结注入物(24)，在所述P+衬底之上且邻近所述P－区域制造出N+区域(26)。并且，在蚀刻区域中所述氧化物掩模之上层叠金属(28)以形成电极。可以将端子电附着到P－N结的两侧。还提供了制造和使用本发明的方法以及瞬变电压抑制方法。

主权项

1、一种面层注入二极管，其包括：P+衬底，在该衬底的顶表面附近利用N型掺杂剂面层注入物对该衬底进行注入，制造出P-区域；邻近所述P-区域且在其上层叠的氧化物掩模，从所述P-区域的一部分部分地蚀刻掉所述氧化物掩模，制造出蚀刻区域；注入到所述蚀刻区域中以在所述P+衬底之上且邻近所述P-区域制造出N+区域的N型主结注入物；以及层叠在所述氧化物掩模和所述蚀刻区域之上的金属。