[发明专利]含前侧应变超晶格层和背侧应力层的半导体器件和方法无效
| 申请号： | 200680042735.4 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101371363A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | K·V·劳 | 申请（专利权）人： | 梅尔斯科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，该半导体器件可以包括：半导体衬底，其具有前后表面；与所述半导体衬底的前表面相邻并且包括多个堆叠的层组的应变超晶格层；以及，应力层，在所述衬底的后表面上，并且包括与半导体衬底不同的材料。所述应变超晶格层的每个层组可以包括：限定基本半导体部分的多个堆叠的基本半导体单层；以及至少一个非半导体单层，其被限制在相邻的基本半导体部分的晶格内。 | ||
| 搜索关键词： | 含前侧 应变 晶格 应力 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，其具有前后表面；应变超晶格层，该应变超晶格层与所述半导体衬底的前表面相邻，并且包括多个堆叠的层组；以及，应力层，在所述半导体衬底的后表面上，并且包括与所述半导体衬底不同的材料；所述应变超晶格层的每个层组包括：限定基本半导体部分的多个堆叠的基本半导体单层；以及至少一个非半导体单层，所述至少一个非半导体单层被限制在相邻的基本半导体部分的晶格内。
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