[发明专利]片状等离子体发生装置及使用它的成膜方法和成膜装置有效
| 申请号： | 200680039908.7 | 申请日： | 2006-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101297060A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 齐藤友康;森脇崇行 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;H05H1/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种片状等离子体发生装置和使用它的成膜方法和成膜装置，能够扩大成膜面积并可使膜厚分布更为均匀。在使从等离子体枪由集束线圈引出的等离子体束通过由在与等离子体束的行进方向垂直的方向上延伸、对置且互相平行地配置而成对的永磁体构成的片化磁体形成的磁场之中而变形为片状的片状等离子体发生装置中，片化磁体包括至少一个与等离子体束的中心侧对应的部分中的排斥磁场强度比与等离子体束的外缘侧对应的部分中的排斥磁场强度更强的片化磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 片状 等离子体 发生 装置 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种片状等离子体发生装置，使从等离子体枪由集束线圈引出的等离子体束通过由片化磁体形成的磁场之中而变形为片状，上述片状磁体是由在与该等离子体束的行进方向垂直的方向上延伸、对置且互相平行地配置而成对的永磁体构成的，该片状等离子体发生装置的特征在于，上述片化磁体，包括至少一个与等离子体束的中心侧对应的部分中的排斥磁场强度比与等离子体束的外缘侧对应的部分中的排斥磁场强度更强的片化磁体。
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