[发明专利]具有用于间距倍增的间隔物的掩膜图案及其形成方法有效
| 申请号： | 200680039845.5 | 申请日： | 2006-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101297391A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡;柯克·D·普拉尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/321;H01L21/308;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在不执行间隔物蚀刻的情况下形成间距倍增工艺中的间隔物(175)。而在衬底(110)上形成心轴(145)，且接着使所述心轴(145)的侧面在例如氧化、氮化或硅化步骤中反应以形成可相对于所述心轴(145)的未反应部分选择性地移除的材料。选择性地移除所述未反应部分以留下独立式间隔物(175)的图案。所述独立式间隔物(175)可用作用于例如蚀刻所述衬底(110)的随后加工步骤的掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 间距 倍增 间隔 图案 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体加工方法，其包括：横跨衬底上的区域形成多个由临时材料形成的临时占位符，所述临时占位符由间隔分离；将一些所述临时材料转化成另一材料以形成多个间隔物，所述另一材料形成多个掩膜特征；选择性地移除未转化的临时材料；以及穿过由所述多个间隔物界定的掩膜图案来加工所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
