[发明专利]经硅化物化的内嵌硅有效
| 申请号： | 200680039494.8 | 申请日： | 2006-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101297392A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 哈桑·内贾德;托马斯·A·菲古拉;戈登·A·哈勒;拉维·耶尔;约翰·马克·梅尔德里姆;贾斯廷·哈尼什 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于使内嵌硅完全硅化物化的方法和结构。将硅(52)提供在沟槽(50)内。在硅(52)上提供金属混合物(55)，其中所述金属中的一者在硅中比硅在所述金属中更容易扩散，且所述金属中的另一者在硅中不如硅在所述金属中容易扩散。示范性混合物包含80％的镍和20％的钴。尽管所述沟槽(50)的纵横比相对较高，但允许沟槽(50)内的硅(52)完全成为硅化物(56)，而不形成空隙。除其它装置以外，可通过所述方法形成用于存储器阵列(10)的内嵌存取装置(RAD)。 | ||
| 搜索关键词： | 经硅化 物化 内嵌硅 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路中形成金属硅化物结构的方法，所述方法包括：在部分制成的集成电路内提供凹座；将硅沉积到所述凹座中；将金属混合物沉积在所述凹座上且使其与所述硅接触，所述金属混合物包括至少两种相对于硅具有相反扩散性的金属；以及使所述金属混合物与所述硅在所述凹座中反应，以在所述凹座内形成金属硅化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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