[发明专利]用于加工具有激光刻蚀的沟槽触点的基件，尤其是太阳能电池的方法和装置无效
| 申请号： | 200680034353.7 | 申请日： | 2006-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101310390A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | C·施米德 | 申请（专利权）人： | 吉布尔.施密德有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L27/142 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹若 |
| 地址： | 德国弗罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 为了加工用于太阳能电池(11)的硅晶片，例如可以利用激光(20a)，在活性硅层(13)的增透层(15)上加工沟槽(22)。在沟槽(22)中涂布触点和掺杂材料(30)，就可消除激光(20a)可能对活性层(13)的顶面(14)造成的损伤。该材料含有起触点作用的镍以及起掺杂作用的磷。例如，可利用另一激光(20b)对触点和掺杂材料(30)进行加热，就会导致对活性层(13)的邻接区域(25)的掺杂。如此可以对其进行修补，此外还可以使已完成的触点(30′)具有非常小的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 加工 具有 激光 刻蚀 沟槽 触点 尤其是 太阳能电池 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种加工基件，尤其是加工太阳能电池(11)的方法，所述基件在顶面(14)具有活性层(13)，且活性层上有增透层(15)，其特征在于下列步骤：-在增透层(15)中加工多条沟槽(22)，该沟槽直达位于下面的活性层(13)，-在沟槽(22)中或者在沟槽底部(23)上涂布触通材料(30)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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