[发明专利]具有改善的编程速率的多位快闪存储装置有效
| 申请号： | 200680033128.1 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101366092A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | T·郭;N·莱昂;H·陈;S·钱德拉;杨念 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于编程包含存储单元(201)之数组之非易失性存储数组(102)之方法，其中各存储单元(201)包含基板(315)、控制栅极(328)、具有至少二个电荷储存区(432、433)以用于储存至少二个独立的电荷之电荷储存组件(322)、源极区域(203)和漏极区域(202)。该方法包含指定至少一个存储单元作为高速存储单元(802)以及藉由设置该至少二个电荷储存区(432、433)之其中第一者成为编程状态(804)而预先调整(pre－condition)高速存储单元(201)之状况，并接着用原较高的速率致能第二区上的编程。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 编程 速率 多位快 闪存 装置 | ||
【主权项】：
1.一种对于包含存储单元(201)的阵列(102)的非易失性存储装置(100)编程的方法，其中每个存储单元(201)包含具有至少两个电荷储存区(432，433)、用于储存至少两个独立电荷的电荷储存元件(322)，该方法包括下列步骤：指定多个存储单元(201)作为高速存储单元(802)；以及预先调整该高速存储单元的状况，以将该至少两个电荷储存区的其中第一个电荷储存区设置为编程状态(804)。
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