[发明专利]低介电常数的硅氧烷涂层、制备方法及其在集成电路上的应用无效
| 申请号： | 200680030250.3 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101283066A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 伊夫·吉罗;卡罗尔·韦尔格拉提;迪迪埃·蒂皮尼耶;卢多维克·奥多尼;夏洛特·巴西尔;莱斯·特鲁耶 | 申请（专利权）人： | 罗狄亚化学公司 |
| 主分类号： | C09D183/04 | 分类号： | C09D183/04;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王达佐;韩克飞 |
| 地址： | 法国布洛*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及制备低介电常数的硅氧烷涂层的方法，其包括以下基本步骤：a)将成膜的硅氧烷组合物沉积至基质的表面，所述硅氧烷组合物包含：(i)至少一种可交联的、成膜的有机硅树脂，(ii)至少一种在加热作用下能够降解的、α，ω－羟基化的、基本线性的硅油，以及(iii)至少一种能够使所述有机硅树脂(i)与所述硅油(ii)相容的溶剂，b)优选通过加热，并且同时或依次地除去所述溶剂(iii)，c)通过加热将所述成膜的硅氧烷组合物固化。本发明还涉及通过此方法得到的硅氧烷涂层以及包含这种硅氧烷涂层作为电绝缘体的集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 硅氧烷 涂层 制备 方法 及其 集成电路 应用 | ||
【主权项】：
1.制备低介电常数的硅氧烷涂层的方法，其包括以下基本步骤：a)将成膜的硅氧烷组合物沉积至基质的表面，所述硅氧烷组合物包含：(i)至少一种可交联的、成膜的有机硅树脂，(ii)至少一种在加热作用下能够降解的、α，ω-羟基化的、基本线性的硅油，以及(iii)至少一种能够使所述有机硅树脂(i)与所述硅油(ii)相容的溶剂，b)优选通过加热，并且同时或依次地除去所述溶剂(iii)，c)通过加热将所述成膜的硅氧烷组合物固化。
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C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09D 涂料组合物，例如色漆、清漆或天然漆；填充浆料；化学涂料或油墨的去除剂；油墨；改正液；木材着色剂；用于着色或印刷的浆料或固体；原料为此的应用
C09D183-00 基于由只在主链中形成含硅的、有或没有硫、氮、氧或碳键反应得到的高分子化合物的涂料组合物；基于此种聚合物衍生物的涂料组合物
C09D183-02 .聚硅酸酯
C09D183-04 .聚硅氧烷
C09D183-10 .含有聚硅氧烷链区的嵌段或接枝共聚物
C09D183-14 .其中至少两个，但不是所有的硅原子与氧以外的原子连接
C09D183-16 .其中所有的硅原子与氧以外的原子连接
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