[发明专利]具有分离的读－写电路的SRAM单元无效
| 申请号： | 200680029500.1 | 申请日： | 2006-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101243518A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | T·W·休斯顿 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;H01L27/11;G11C11/412;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于写入和读出SRAM单元核(105)、SRAM单元(100)和SRAM器件的电路。一个方面，该电路包含耦合到所述SRAM单元核的、包含至少一个写入晶体管(150)的写入电路。该电路还包含耦合到所述SRAM单元核的、包含至少一个读出晶体管(185)的读出电路，所述读出晶体管具有与所述写入晶体管的栅极信号相同的栅极信号。所述读出晶体管与所述写入晶体管共用一个栅极信号，且每一个都具有电特性，其中所述读出晶体管的电特性与所述写入晶体管的电特性不同。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分离 电路 sram 单元 | ||
【主权项】：
1.一种用于写入和读出SRAM单元核的电路，其包括：一写入电路，其被耦合到所述SRAM单元核上并且包括具有电特性的至少一个写入晶体管；和一读出电路，其被耦合到所述SRAM单元核上并且包括具有电特性的至少一个读出晶体管，所述至少一个读出晶体管的所述电特性与所述至少一个写入晶体管的所述电特性不同，其中所述至少一个写入晶体管与所述至少一个读出晶体管具有共同的栅极信号。
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