[发明专利]含有金属的化合物,其制备方法、含有金属的薄膜和其形成方法有效
| 申请号： | 200680029033.2 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101238095A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 多田贤一;稻叶孝一郎;古川泰志;山川哲;大岛宪昭 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社;财团法人相模中央化学研究所 |
| 主分类号： | C07C257/12 | 分类号： | C07C257/12;C07C257/14;C23C16/40;H01L21/312;C07F5/00;C07F5/06;C07F7/00;C07F7/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有合适的热稳定性、合适的挥发性，适宜于作为CVD法或ALD法原料的化合物，该化合物的制备方法、该化合物作为原料形成的薄膜和薄膜形成方法。通式(1)表示的化合物通过使通式(2)表示的化合物与通式(3)表示的化合物反应制备。使用制备的该化合物为原料形成含金属薄膜。(在通式中，M表示第4族原子、铝原子、镓原子等；根据情况n是2或3；R1和R3各自表示具有1－6个碳原子的烷基等；R2表示具有1－6个碳原子的烷基等；R4和R5各自表示具有1－4个碳原子的烷基等；X表示氢原子、锂原子或钠原子；根据情况p是1或2；和根据情况q是4或6)。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 金属 化合物 制备 方法 薄膜 形成 | ||
【主权项】：
1.通式(1)表示的化合物：![]()
(在通式中，M表示第4族原子、铝原子、镓原子或铟原子；当M是第4族原子时，n是3，当M是铝原子、镓原子或铟原子时，n是2；R1和R3各自独立地表示可以被氟原子取代的具有1-6个碳原子的烷基，或R6R7R8Si表示的三烷基甲硅烷基，R6、R7和R8各自独立地表示具有1-4个碳原子的烷基；R2表示氢原子或任选被氟原子取代的具有1-6个碳原子的烷基；R2和R3可结合形成环；和R4和R5各自独立地表示可以被氟原子取代的具有1-4个碳原子的烷基)。
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