[发明专利]用于低k刻蚀后的无损灰化工艺和系统有效
| 申请号： | 200680028670.8 | 申请日： | 2006-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101238551A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 西野雅;道格拉斯·M·特瑞克凯特 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种用于低介电常数(低k)层中的特征刻蚀之后的衬底灰化的工艺。低k层可包括超低k材料或多孔低k材料。该工艺可被配置为去除刻蚀副产物，同时保留特征的临界尺寸。灰化工艺包括使用含氮和含氢的化学物质以及包括氧元素的钝化化学物质，例如O2、CO、或CO2或其任意组合。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刻蚀 无损 灰化 工艺 系统 | ||
【主权项】：
1.一种从衬底去除刻蚀后残留物的方法，包括：将具有介电层的所述衬底置于等离子体处理系统中，其中所述介电层具有利用刻蚀工艺形成在其中的特征，并且所述特征具有通过所述刻蚀工艺形成在其上的所述刻蚀后残留物；引入包括含氮气体、含氢气体和含氧气体的处理气体，其中所述含氧气体包括氧气(O2)、CO、或CO2或其任意组合；在所述等离子体处理系统中由所述处理气体形成等离子体；以及将所述衬底暴露于所述等离子体以去除所述刻蚀后残留物，其中所述介电层具有小于SiO2的介电常数的介电常数值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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