[发明专利]包括不连续存储元件的电子器件无效
| 申请号： | 200680027201.4 | 申请日： | 2006-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101496152A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | G·L·金达洛雷;P·A·英格索尔;C·T·斯威夫特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L21/84;H01L23/62;H01L27/088;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子器件，可包括不连续存储元件(64)，其位于沟槽(22，23)之内。该电子器件可包括具有沟槽的衬底，该沟槽具有壁和底部并且从衬底(12)的主表面延伸。该电子器件还可包括不连续存储元件，其中该不连续存储元件的一部分至少位于该沟槽之内。该电子器件可进一步包括第一栅电极，其中至少部分该不连续存储元件的一部分位于该第一栅电极和该沟槽的壁之间。该电子器件可进一步包括位于该第一栅电极和该衬底的该主表面之上的第二栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 连续 存储 元件 电子器件 | ||
【主权项】：
1、一种电子器件，包括：具有第一沟槽的衬底，该第一沟槽包括壁和底部并且从该衬底的主表面延伸；不连续存储元件，其中该不连续存储元件的第一部分至少位于该第一沟槽之内；第一栅电极，其中该不连续存储元件的第一部分的至少一部分位于该第一栅电极和该第一沟槽的壁之间；和在第一栅电极和衬底的主表面之上的第二栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
