[发明专利]光伏线无效
| 申请号: | 200680026783.4 | 申请日: | 2006-06-16 |
| 公开(公告)号: | CN101292365A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
| 发明(设计)人: | Y·哈比波;J·斯汀贝克 | 申请(专利权)人: | 依路米尼克斯公司 |
| 主分类号: | H01L31/0248 | 分类号: | H01L31/0248 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李帆 |
| 地址: | 美国宾*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 提供一种光伏线,其中活性层包覆优选为铝的金属线。该活性层是电连接至金属线的掺杂硅纳米线的阵列,所述纳米线从线的表面延伸进入优选为聚苯胺的半导体聚合物层中。该聚合物的表面包覆有透明导体以实现光伏电路。 | ||
| 搜索关键词: | 伏线 | ||
【主权项】:
1.光伏线,包含:多孔层,其基本上围绕第一导体的外周边,所述多孔层具有大量的孔,每个孔的底部基本上处在第一导体的表面并且开口在多孔层的外表面;半导体聚合物涂层,其基本上围绕着多孔层的周边;第二导体,其至少部分围绕半导体聚合物层的周边;和大量半导体纳米线,每个半导体纳米线都具有两个端部,其中所述半导体纳米线中的至少一根穿过所述孔中的一个,其中所述至少一根半导体纳米线的第一端在孔的底部电连接到第一导体,且所述至少一根半导体纳米线的第二端基本上延伸越过孔的开口进入到半导体聚合物层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于依路米尼克斯公司,未经依路米尼克斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680026783.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





