[发明专利]氧化物的选择性湿蚀刻无效
| 申请号： | 200680025510.8 | 申请日： | 2006-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101223632A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 威廉·沃伊特恰克;西安·科林斯 | 申请（专利权）人： | 塞克姆公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王昭林;南霆 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种湿蚀刻组合物，该组合物包含磺酸、膦酸、次膦酸或者其任意两种或多种的混合物，和氟化物，和涉及一种相对于氮化物、高氮成分硅氧氮化物、金属、硅或硅化物而选择性蚀刻氧化物的方法。该方法包括提供包含氧化物和一种或多种氮化物、高氮成分硅氧氮化物、金属、硅或硅化物的基底，其中氧化物待蚀刻；应用蚀刻组合物到基底一段时间，该时间足以从基底移除所需量的氧化物；和移除蚀刻组合物，其中氧化物被选择性地移除。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 选择性 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种选择性湿蚀刻组合物，包含：磺酸、膦酸、次膦酸或者其任意两种或多种的混合物；和氟化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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