[发明专利]发光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200680022583.1 申请日: 2006-06-22
公开(公告)号: CN101203966A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: 李钟览;李在皓;尹余镇;黄义镇;金大原 申请(专利权)人: 首尔OPTO仪器股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种发光装置和制造所述发光装置的方法。根据本发明,所述发光装置包括:衬底;形成于所述衬底上的N型半导体层;以及形成于所述N型半导体层上的P型半导体层,其中包含所述N型或P型半导体层的侧面具有与水平面成20°到80°的斜率。此外,本发明提供一种发光装置,其包括:形成有多个发光单元的衬底,每一发光单元包含N型半导体层和形成于所述N型半导体层上的P型半导体层;以及底板衬底,其倒装芯片结合到所述衬底上,其中一个发光单元的所述N型半导体层与另一相邻发光单元的所述P型半导体层彼此连接,且至少包含所述发光单元的所述P型半导体层的侧面具有与水平面成20°到80°的斜率。此外,本发明提供一种制造发光装置的方法。因此,存在的优点在于发光装置的例如发光效率、外部量子效率和提取效率的特性增强,且保证了可靠性,使得可发射具有高发光强度和亮度的光。
搜索关键词: 发光 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种发光装置,其特征在于其包括:多个发光单元,每一发光单元包含在衬底上的N型半导体层和形成于所述N型半导体层的一部分上的P型半导体层,其中一个发光单元的所述N型半导体层与另一相邻发光单元的所述P型半导体层彼此连接,且包含所述发光单元的所述N型半导体层或所述P型半导体层的侧面具有与水平面成20°到80°的斜率。
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