[发明专利]硅基电介质的化学气相沉积方法无效
| 申请号： | 200680021839.7 | 申请日： | 2006-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101199044A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | Y·王;Y·梅达;T·C·梅勒;S·M·苏特;S·坦东;R·S·伊尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/469 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的具体实例一般而言是提供一种用于沉积含硅薄膜的方法。在一具体实例中，一种用于将含硅材料薄膜沉积在基板上的方法包含下列步骤：将含有氮和碳的化学物流入沉积腔室内；将具有硅－氮键的含硅源化学物流入处理腔室内：及将位于腔室内的基板加热至低于约550℃以下的温度。在另一具体实例中，此含硅化学物是三硅基胺，且含有氮和碳的化学物是(CH3)3－N。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 化学 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种将含硅薄膜沉积在基板上的方法，其是包括下列步骤：将位于处理腔室内的基板加热至低于约550℃以下的温度；将含有氮和碳的化学物流入该处理腔室；将具有硅-氮键的含硅源化学物流入该处理腔室；及将含有硅和氮的薄膜沉积在该基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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