[发明专利]用于CIS类薄膜太阳能电池的连续高电阻缓冲层/窗口层(透明导电膜)的形成方法和用于实施该连续膜形成方法的连续膜形成设备

摘要

一种用于通过MOCVD法连续沉积高电阻缓冲层和窗口层(透明导电膜)的方法，其中能够获得与常规溶液生长方法中相同的输出特性，同时简化用于膜沉积的方法和设备并通过降低原料成本和废物处理成本而显著降低生产成本。因为在半成品的太阳能电池基底的光吸收层(1C)上依高电阻缓冲层(1D)和窗口层(1E)的顺序连续形成多层结构，在该半成品的太阳能电池基底中，金属基电极层(1B)和光吸收层(1C)顺序沉积在玻璃基底(1A)上，因此简化了膜沉积法和设备并降低了原料成本和废物处理成本。

主权项

1.一种用于CIS类薄膜太阳能电池的连续高电阻缓冲层/窗口层(透明导电膜)形成的方法，其中，在用于生产CIS类薄膜太阳能电池的方法中，缓冲层和窗口层依次以多层排列连续形成于半成品的太阳能电池基底的光吸收层上，该半成品的太阳能电池基底通过在玻璃基底上依次形成金属基电极和光吸收层而获得，所述CIS类薄膜太阳能电池是具有包括依次叠置以下层的基底结构的pn异质节元件：玻璃基底、金属基电极层、具有p型导电性并包含CIS类(CuInSe2类)黄铜矿多元化合物半导体薄膜的光吸收层、包含具有透明性和高电阻的锌化合物晶体半导体薄膜的缓冲层以及具有n型导电性并包含具有透明性和低电阻的氧化锌(ZnO)类透明导电膜的窗口层。