[发明专利]制造双极晶体管的方法

摘要

公开了一种在第一沟槽(11)中制造双极晶体管的方法，其中，仅仅应用一个光刻掩模来形成第一沟槽(11)和第二沟槽(12)。在第一沟槽(11)和第二沟槽(12)中自对齐形成集电极区域(21)。基极区域(31)自对齐形成于第一沟槽(11)中的集电极区域(21)的一部分上。发射极区域(41)自对齐形成于基极区域(31)的一部分上。集电极区域(21)的触头形成于第二沟槽(12)中，基极区域(31)的触头形成于第一沟槽(11)中。双极晶体管的制造可以集成在标准CMOS过程中。

主权项

1.一种用于制造双极晶体管的方法，所述方法包括：在半导体衬底(1)上设置层叠，所述层叠包括：所述半导体衬底(1)上的第一隔离层(2)、所述第一隔离层(2)上的第一半导体层(3)、所述第一半导体层(3)上的第二隔离层(4)、以及所述第二隔离层(4)上的第二半导体层(5)；在所述层叠和所述半导体衬底(1)的一部分中形成第一沟槽(11)和第二沟槽(12)，其中，所述第一沟槽(11)和所述第二沟槽(12)由突起(14)进行分离，所述突起(14)包括所述层叠的一部分以及所述半导体衬底(1)的第一部分；去除所述半导体衬底(1)的第一部分，从而在所述第一沟槽(11)和所述第二沟槽(12)之间形成下穿通道(18)，其中，所述下穿通道区域(18)暴露所述半导体衬底(1)的一部分；在所述半导体衬底(1)的暴露部分上形成集电极区域(21)以及在所述第一半导体层(3)和所述第二半导体层(5)的暴露部分上形成密封区域(22)，这两个区域均包括半导体材料，其中，所述集电极区域(21)填充所述下穿通道区域(18)并且所述密封区域(22)对所述第二沟槽(12)进行密封；形成在所述第一沟槽(11)中的所述集电极区域(21)的部分上延伸的基极区域(31)；在所述第一沟槽(11)中形成隔离物(25)，从而在所述第一沟槽(11)中形成所述集电极区域(21)的暴露部分；以及在所述第一沟槽(11)中的所述集电极区域(21)的暴露部分上形成发射极区域(41)。