[发明专利]用于等离子体反应器室的无O形环串列节流阀无效
申请号: | 200680014181.7 | 申请日: | 2006-04-26 |
公开(公告)号: | CN101167164A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 塙广二 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;B05C11/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种阀系统,具有高的最大气体导通性和对气体导通性的精密控制,所述阀系统包括:阀壳体,用于阻挡经过气体流路的气流;穿过所述壳体的大面积开口,具有第一弓形侧壁;穿过所述壳体的小面积开口,具有第二弓形侧壁;以及大面积和小面积可旋转阀翼片,分别位于所述大面积开口和小面积开口中并具有分别与所第一和第二弓形侧壁一致的弓形边缘,并在其间分别限定了第一阀间隙和第二阀间隙。第一阀间隙和第二阀间隙小到足以阻挡高达预定压力限制的所述阀壳体一侧的气流,从而消除了对O形环的任何需要。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 反应器 串列 节流阀 | ||
【主权项】:
1.一种阀系统,具有高的最大气体导通性和对气体导通性的精密控制,所述阀系统包括:阀壳体,用于限制经过气体流路的气流;穿过所述壳体的大面积开口,具有第一弓形侧壁;和大面积可旋转阀翼片,位于所述大面积开口中,并具有与所第一弓形侧壁一致的弓形边缘,并在其间限定了第一阀间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造