[发明专利]晶体管制造的改进

摘要

在限定和围绕发射窗(110)的材料上形成氧化层(22)。该技术包括将非均匀氧化层(24)沉积在围绕材料上和发射窗(100)内，由此，氧化层(24)在发射窗(100)内的至少一部分的厚度比在发射窗外的围绕材料上的氧化层(24)的厚度小；以及将在所述发射窗(100)内的氧化层(24)的至少一部分去除，从而露出发射窗的底部的至少一部分，同时允许氧化层(24)的至少一部分留在所述围绕材料上。该技术可以用于自对齐外延基BJT(双极结晶体管)或者SiGe HBT(异质结双极晶体管)的制造中。

主权项

1.一种在限定和围绕发射窗的材料上形成氧化层的方法，包括在所述围绕材料上和在所述发射窗内沉积不均匀的氧化层，由此，发射窗内的氧化层的至少一部分的厚度小于所述发射窗外的所述围绕材料上的氧化层的厚度；以及除去所述发射窗内的所述氧化层的至少一部分，以便露出所述发射窗的底部的至少一部分，同时允许所述氧化层的至少一部分保留在所述围绕材料上。