[发明专利]使用双频率射频源的等离子体产生与控制无效
| 申请号： | 200680009460.4 | 申请日： | 2006-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101147237A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | S·香农;A·佩特森;T·帕纳古普洛斯;J·霍兰;D·格里马德;D·霍夫曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种用以控制一半导体基材处理室内的一等离子体的方法。该方法包含：施加第一频率的第一RF信号给在处理室内的第一电极，该第一频率是被选择以使得等离子体鞘层振荡第一频率；及由电源施加第二频率的第二RF信号给第一电极，该第二频率是被选择以使得等离子体鞘层振荡第二频率，其中第二频率是与第一频率差别有一等于想要频率的差值，该想要频率被选择以使得等离子体鞘层振荡于该想要频率。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 双频 射频 等离子体 产生 控制 | ||
【主权项】：
1.一种用以控制在一等离子体加强半导体基材处理室中的一等离子体的方法，该方法至少包含步骤：供给第一频率的第一RF信号给处理室内的第一电极，该第一频率被选择以使得等离子体鞘层振荡于该第一频率；由电源供给第二频率的第二RF信号给第一电极，该第二频率被选择以使得等离子体鞘层振荡于该第二频率，其中第二频率与第一频率差别有一等于想要频率的差值，该想要频率是被选择使得等离子体鞘层振荡于想要频率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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