[发明专利]在图案化衬底上形成钌金属层的方法无效
| 申请号： | 200680008623.7 | 申请日： | 2006-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101142670A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 松田司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C16/02;H01L23/532;C23C16/455;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成钌金属层(560)的方法(300)，包括：在沉积系统(1，100)的处理室(10，110)中提供图案化衬底(25，125，500)，其中所述图案化衬底(25，125，500)包含一个或更多个过孔或沟槽或其组合；在原子层沉积工艺中将第一钌金属层(540)沉积在所述衬底(25，125，500)上；在热化学气相沉积工艺中将第二钌金属层(550)沉积在所述第一钌金属层(540)上。经沉积的钌金属层(560)可以用作扩散阻挡层和/或电镀用种子层。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 衬底 形成 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成钌金属层的方法，包括：在沉积系统的处理室中提供图案化衬底，其中所述图案化衬底包含一个或更多个过孔或沟槽或其组合；在原子层沉积工艺中，在所述衬底上沉积第一钌金属层；以及在热化学气相沉积工艺中，在所述第一钌金属层上沉积第二钌金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680008623.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变焦透镜系统及摄像装置
- 下一篇：无接触供电设备的二次侧受电电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
