[发明专利]具有体接触的并联场效应晶体管结构

摘要

通过与第一或者主场效应晶体管(“FET”)(620)电并联放置的一个或者多个第二FET(632)，将第一FET(620)与至其的体接触分隔开。以此方式，第一FET(620)的主体可以延伸至由第二FET(632)占有的区域中，以允许对第一FET(620)主体进行接触。在一个实施例中，第一FET(620)的栅极导体和第二FET(632)的栅极导体是单块导电图形的整体部分。将单块导电图形制作得如期望的一样小，并且将其制作成与位于集成电路之上的栅极导体的最小预定线宽一样小，所述集成电路包括体接触的FET。以此方式，可以保持面积和寄生电容较小。

主权项

1.一种半导体器件结构，包括：衬底的单块单晶半导体区域(600)；第一场效应晶体管(“FET”)(620)，具有在所述单块单晶区域(600)中布置的第一源区(624)和第一漏区(626)，所述第一源区(624)和第一漏区(626)限定第一源漏导电通路(622)；至少一个第二场效应晶体管(″FET″)(632)，具有与所述第一FET(620)的所述第一源漏导电通路(622)电并联的第二源漏导电通路(633)，所述至少一个第二FET(632)具有包括第二源区(652)和第二漏区中的至少一个的第二扩散区域，所述第二源漏导电通路(633)在所述第二扩散区域与所述第一源区(624)和所述第一漏区(626)中的至少一个之间延伸；以及所述单块单晶区域(600)的体接触部分，其与所述第二扩散区域具有结。