[发明专利]半导体晶片测量装置和方法无效
| 申请号： | 200680008385.X | 申请日： | 2006-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101142475A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 肯尼思·斯蒂普莱斯 | 申请（专利权）人： | QC塞路斯公司 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22;G01R31/28;G01R31/311 |
| 代理公司： | 北京明和龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郁玉成;邵毓琴 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及度量方法的用途以及本文中公开的相关装置，所述装置包括热处理设备，还涉及改进缺陷检测的方法。具体地，本发明还涉及对半导体晶片进行热处理的方法，从而加速间隙缺陷的迁移，同时基本上不改变空位缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 测量 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量离子植入型半导体晶片的缺陷的方法，该方法包括以下步骤：a)加热晶片至处理温度，持续处理时间；b)传送晶片，使得其表面基本上平行于头组件的表面光电压电极；c)将至少一部分晶片暴露至具有一定波长和一定强度的光；d)使用表面光电压电极检测在晶片表面响应于调制光强度而感应的光电压；以及e)由在晶片表面感应的光电压计算晶片的电学性能。
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