[发明专利]等离子体氧化及氧化材料的去除有效
| 申请号： | 200680007411.7 | 申请日： | 2006-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101164121A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 金允圣;A·贝利三世;尹央锡;A·M·豪瓦德 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C23F1/00;C03C15/00;C23F3/00;C03C25/68 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲;韦欣华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种蚀刻导电层的方法，包括转化此导电层的至少一部分和蚀刻此导电层以基本去除此导电层的被转化部分并由此暴露保留的表面。保留的表面具有低于大约10nm的平均表面粗糙度。也公开了用于蚀刻导电层的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 氧化 材料 去除 | ||
【主权项】：
1.导电层的蚀刻方法，包括：转化所述导电层的至少一部分；及蚀刻所述导电层以基本去除所述导电层的被转化部分，从而暴露保留的表面，所述保留表面具有小于大约10nm的平均表面粗糙度。
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