[发明专利]三维多结光生伏打器件有效
| 申请号: | 200680006941.X | 申请日: | 2006-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN101151736A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
| 发明(设计)人: | 威廉·贾德森·莱蒂 | 申请(专利权)人: | 佐治亚科技研究公司 |
| 主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 霍育栋;颜涛 |
| 地址: | 美国佐*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 提供一种光生伏打器件。光生伏打器件可以包括一第一能量吸收表面和一大体上是上与第一能量吸收表面平行的第二能量吸收。光生伏打器件可以包括一大体上是垂直于第一能量吸收表面和第二能量吸收表面的第三能量吸收表面。第一能量吸收表面,第二能量吸收表面和第三能量吸收表面中的每一个都可以被设置成能将光能变成电能。光子可以和第一能量吸收表面,第二能量吸收表面和第三能量吸收表面中的一个或多个碰撞。第一,第二和第三能量吸收表面可以被定向以使光子能在第一能量吸收表面,第二能量吸收表面和第三能量吸收表面中的两个或多个之间回弹。 | ||
| 搜索关键词: | 三维 多结光生伏打 器件 | ||
【主权项】:
1.一光生伏打器件包括:一第一能量吸收组件被设置成可将光子碰撞该第一能量吸收组件的能量转换成第一电流;和一第二能量吸收组件以非平行于第一能量吸收组件的方式被定向,第二能量吸收组件被设置成将光子碰撞该第二能量吸收组件的能量转换成第二电流。光子与第二能量吸收组件的碰撞是在光子碰撞第一能量吸收组件之后进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





