[发明专利]使用高介电常数电介质层的量子阱晶体管有效
| 申请号： | 200680006840.2 | 申请日： | 2006-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN101133498A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | S·达塔;J·布拉斯克;J·卡瓦利洛斯;M·梅茨;M·多茨;R·曹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/338 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;陈景峻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可以利用置换金属栅极法来形成量子阱晶体管或高电子迁移率晶体管。可以利用虚拟栅极来定义侧壁间隔物和源漏接触金属。可以移除虚拟栅极，并利用剩余结构作为掩模来蚀刻掺杂层以形成与所述开口自对准的源极和漏极。高介电常数材料可以涂覆所述开口的侧面，然后可以沉积金属栅极。结果，源极和漏极得以与金属栅极自对准。此外，金属栅极通过该高介电常数材料而与下面的阻挡层隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 介电常数 电介质 量子 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在量子阱晶体管中形成自对准源漏极。
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