[发明专利]非易失性半导体存储装置及其动作方法

摘要

提供一种非易失性半导体存储装置，在高集成的存储单元阵列中，z在读取、写入和擦除的各动作模式间转移时，抑制因随着位线和字线的电位变化的过渡电流而产生的功耗的增加。具有存储单元阵列(1)，其分别在行方向和列方向配置多个两端子的存储单元，该存储单元具有通过施加脉冲而使电阻值可逆地变化的可变电阻元件，同一行的各存储单元的一端连接到公共字线WL1～WLn，同一列的各存储单元的另一端连接到公共位线BL1～BLn，在针对选择存储单元的读取、写入和擦除的各存储动作的动作期间，对未连接到选择存储单元的非选择字线和非选择位线施加公共非选择电压V_WE/2。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：存储单元阵列，其分别在行方向以及列方向配置多个两端子的存储单元，该两端子的存储单元具有通过施加电脉冲使电阻值可逆地变化的可变电阻元件，将同一行的所述各存储单元的一端连接到公共的字线，将同一列的所述各存储单元的另一端连接到公共位线；存储单元选择电路，以行、列或存储单元为单位从所述存储单元阵列中选择所述存储单元；电压切换电路，为对由所述存储单元选择电路选择的选择存储单元进行包括读取动作、写入动作以及擦除动作的多个存储动作，分别对所述字线和所述位线中的与所述选择存储单元连接的选择字线和选择位线、以及所述选择字线和所述选择位线以外的非选择字线和非选择位线，按照所述存储动作施加所述各存储动作中所需的电压；读取电路，对所述选择存储单元内的读取对象的所述存储单元检测按照所述可变电阻元件的电阻值流过的读取电流的大小，读取存储在所述读取对象存储单元中的信息，在所述读取动作、所述写入动作和所述擦除动作的各动作期间，所述电压切换电路对所述非选择字线和所述非选择位线施加公共的非选择电压。