[发明专利]固体摄像装置有效
| 申请号： | 200680001903.5 | 申请日： | 2006-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101103461A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 森治通;藤田一树;久嶋龙次;本田真彦;水野诚一郎 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种固体摄像装置，其可以实现线性特性及动态范围两者的提高。固体摄像装置的各像素部(Pm，n)包括：埋入型光敏二极管(PD)，产生与入射光强度的量相应的电荷；电容元件(C)，与埋入型光敏二极管(PD)并联连接，储存由该埋入型光敏二极管(PD)产生的电荷；放大晶体管(T1)，输出与输入到门极端子的电压值相应的电压值；传送晶体管(T2)，将与电容元件(C)的储存电荷量相应的电压值向放大晶体管(T1)的门极端子输入；放电晶体管(T3)，进行电容元件(C)的电荷的放电；选择晶体管(T4)，选择性地向配线(Ln)输出从放大晶体管(T1)输出的电压值。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】：
1.一种固体摄像装置，多个像素部被排列为一维或二维状，其特征在于，所述多个像素部分别具备：埋入型光敏二极管，产生与入射光强度的量相应的电荷；和电容元件，与所述埋入型光敏二极管并联连接，储存由所述埋入型光敏二极管产生的电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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