[发明专利]存储器系统以及写入非易失性半导体存储器中的方法有效

专利信息
申请号: 200680001309.6 申请日: 2006-09-27
公开(公告)号: CN101069163A 公开(公告)日: 2007-11-07
发明(设计)人: 须田隆也 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G06F12/00 分类号: G06F12/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;李峥
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种存储系统包括一个非易失性半导体存储器,该存储器包括由n个(n为自然数)写单元区域构成的第一原始块和由多个写单元区域构成的第一子块。一个控制器将具有第1到第p个(p为小于n的自然数)地址中的一个地址的数据写入所述第一原始块中。当所述控制器收到写入具有作为所述第1到第p个地址之一的第一写地址的数据的请求并且具有所述第一写地址的数据存在于所述第一原始块中时,所述控制器将具有所述第一写地址的数据写入所述第一子块中。
搜索关键词: 存储器 系统 以及 写入 非易失性 半导体 中的 方法
【主权项】:
1.一种存储系统,包含有:非易失性半导体存储器,包括由n个(n为自然数)写单元区域构成的第一原始块和由多个写单元区域构成的第一子块,以及控制器,该控制器将具有第1到第p个(p为小于n的自然数)地址中的一个地址的数据写入所述第一原始块中,当所述控制器收到写入具有作为所述第1到第p个地址之一的第一写地址的数据的请求并且具有所述第一写地址的数据存在于所述第一原始块中时,所述控制器将具有所述第一写地址的数据写入所述第一子块中。
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