[发明专利]半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法无效
| 申请号： | 200680001097.1 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101053083A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木胜 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/28;H01L29/49;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体装置的制造方法，进行以下工序：在半导体基板上形成栅极绝缘膜的工序；在该栅极绝缘膜上至少形成包括多晶硅层和含有高熔点金属的金属层的叠层体的工序；对该叠层体进行蚀刻处理，形成栅极电极的工序；和利用由具有多个狭缝的平面天线向处理室内导入微波而产生等离子体的等离子体处理装置，在处理压力为133.3～1333Pa、处理温度为250～800℃下，使用至少包含氢气和氧气的处理气体，进行等离子体处理，选择性地氧化上述栅极电极中的多晶硅层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 等离子体 氧化 处理 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：对于至少包括多晶硅层和含有高熔点金属的金属层的叠层体，利用由具有多个狭缝的平面天线向处理室内导入微波而产生等离子体的等离子体处理装置，在处理压力为133.3～1333Pa、处理温度为250～800℃下，使用至少包含氢气和氧气的处理气体，进行等离子体处理，氧化所述多晶硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680001097.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于合成革底料的聚酯多元醇及其制备方法
- 下一篇：电动车架
- 同类专利
- 专利分类
