[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底无效
| 申请号： | 200680000432.6 | 申请日： | 2006-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1977367A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 田边达也;木山诚;三浦广平;樱田隆 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/778;H01L21/205;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种Ⅲ族氮化物半导体器件，其中可以减小来自肖特基电极的漏电流。在高电子迁移率晶体管1中，支撑衬底3由AlN、AlGaN或GaN构成。AlyGa1－yN外延层5具有0.25mm或以下的表面粗糙度(RMS)，其中表面粗糙度由每一侧测量1μm的正方形面积所得到。在AlyGa1－yN支撑衬底3和AlyGa1－yN外延层5之间设置GaN外延层7。在AlyGa1－yN外延层5上设置肖特基电极9。在AlyGa1－yN外延层5上设置第一欧姆电极11。在AlyGa1－yN外延层5上设置第二欧姆电极13。第一和第二欧姆电极11和13之一构成源电极以及另一个构成漏电极。肖特基电极9构成高电子迁移率晶体管1的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 外延 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体器件的特征在于提供有：AlxGa1-xN支撑衬底(0≤x≤1)；AlyGa1-yN外延层(0＜y≤1)，其在每一侧测量1μm的正方形面积所得到的表面粗糙度(RMS)为0.25nm或以下；在所述氮化镓支撑衬底和所述AlyGa1-yN外延层之间设置的GaN外延层；在所述AlyGa1-yN外延层上设置的肖特基电极；在所述AlyGa1-yN外延层上设置的源电极；以及在所述AlyGa1-yN外延层上设置的漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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