[实用新型]液晶显示装置的像素结构无效

专利信息
申请号: 200620162360.2 申请日: 2006-12-27
公开(公告)号: CN200993715Y 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 沈奇奇 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/136;H01L29/786
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 白璧华
地址: 200233上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种液晶显示装置的像素结构,包括有TFT和像素电极;所述TFT由栅极、源极和漏极构成;所述源极和漏极之间有沟道隔开,栅极和源极、漏极之间形成有半导体层;其中所述栅极的宽度小于沟道的宽度,所述沟道的两端曝露在栅极的两侧;沟道处半导体层宽度W的大小取决于栅极的宽度,像素电极上的充电电流不受沟道处半导体层形状变化的影响,减少了由此引起的显示不均不良现象的发生,提高了产品的生产良率,降低了成本。
搜索关键词: 液晶 显示装置 像素 结构
【主权项】:
1.一种液晶显示装置的像素结构,包括有TFT和像素电极;所述TFT由栅极、源极和漏极构成;所述源极和漏极之间有沟道隔开,栅极和源极、漏极之间形成有半导体层;其中所述栅极的宽度小于沟道的宽度,所述沟道的两端曝露在栅极的两侧。
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