[实用新型]大功率LED芯片的封装结构及大功率LED照明器件无效
| 申请号： | 200620108148.8 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN200990387Y | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡勇 | 申请（专利权）人： | 蔡勇 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/36;H01L23/488 |
| 代理公司： | 杭州中平专利事务所有限公司 | 代理人： | 翟中平 |
| 地址： | 310012浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种大功率LED芯片的封装结构，铝基板的表面为绝缘氧化层，LED芯片直接连接在绝缘氧化层上且通过铝基板直接散热，铝基板的非元器件安装面做成作带散热翅的散热器结构，直接用于散热。优点：一是将LED芯片与铝基板绝缘氧化层直接连接、直接散热(铝基板的非安装面做成散热翅状)，使LED芯片、电路板和散热器合为一体，减少了热阻形成的数量，同时绝缘氧化层与散热器的无缝连接大大地减少了热阻值，因而极大地提高了散热效果；二是LED芯片pn极与金属化层连接，使大功率LED照明器件得以实现。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 led 芯片 封装 结构 照明 器件 | ||
【主权项】：
1、一种大功率LED芯片的封装结构，其特征是：铝基板的面为绝缘氧化层(4)，LED芯片(10)直接连接在绝缘氧化层上且通过铝基板直接散热。
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