[实用新型]在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的装置无效

专利信息
申请号: 200620101708.7 申请日: 2006-03-15
公开(公告)号: CN2884263Y 公开(公告)日: 2007-03-28
发明(设计)人: 佘俊;敖献煜;何赛灵 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;H01L21/027;G06F17/50
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 张法高
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及一种利用激光多光束干涉技术在发光二极管上制作二维光子晶体覆层掩膜的优化设计的装置。本实用新型包括沿光轴依次设置的激光器、扩束滤波器、准直透镜和分束器,激光经过分束器后分成三束,对应每束激光,设置有一块反射镜,沿着通过分束器后的各束激光的光轴,放置有偏振衰减控制器。本实用新型所用的装置简单、灵活度高、成本低,生产速度快,适合于大规模制作发光二极管表面的光子晶体掩膜。
搜索关键词: 发光二极管 制作 光子 晶体 掩膜层 装置
【主权项】:
1、在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的装置,包括沿光轴依次设置的激光器、扩束滤波器、准直透镜和分束器,其特征在于对应经过分束器后的三束激光位置分别设置有反射镜,沿着通过分束器后的各束激光的光轴,放置有偏振衰减控制器。
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