[实用新型]芯片级硅穿孔散热结构无效
| 申请号： | 200620073202.X | 申请日： | 2006-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN2909521Y | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;赖志明 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214431江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种芯片级硅穿孔散热结构，包括倒装裸芯片(1)，其特征在于：a.于倒装裸芯片(1)背面对芯片硅材料穿盲孔(5)至焊垫金属区，b.盲孔(5)表面及芯片背面覆有金属膜(2)层，c.覆有金属膜(2)层的倒装裸芯片(1)背面复有导热金属层(3)，该导热金属层(3)充填至盲孔(5)内。本实用新型改变传统间接散热方式，以倒装封装工艺，使裸芯片经硅穿孔后充填金属或导热胶等，使芯片直接散热。该直接散热方式芯片热量散发快，芯片性能稳定，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 穿孔 散热 结构 | ||
【主权项】：
权利要求书1、一种芯片级硅穿孔散热结构，包括倒装裸芯片(1)，其特征在于：a、于倒装裸芯片(1)背面对芯片硅材料穿盲孔(5)至焊垫金属区，b、盲孔(5)表面及芯片背面覆有金属膜(2)层，c、覆有金属膜(2)层的倒装裸芯片(1)背面复有导热金属层(3)，该导热金属层(3)充填至盲孔(5)内。
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