[实用新型]基于乘法器的单端本振输入的MOS混频器无效
| 申请号： | 200620052647.X | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN200976567Y | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 陈迪平;王镇道;陈奕星;朱小莉 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H03D7/12 | 分类号： | H03D7/12 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 | 代理人： | 颜昌伟 |
| 地址： | 410082湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于乘法器的单端本振输入的MOS混频器，由MOS对管(M1～M2)、MOS对管(M3～M4)、MOS对管(M5～M6)和恒流源(Ioo)组成，本实用新型采用改善放大器线性度的前馈放大器，提高了线性度；单端的本振输入，省去了通过相移产生相位相反的本振信号的步骤，避免了因相移不精确而产生的相位噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 乘法器 输入 mos 混频器 | ||
【主权项】：
1、一种基于乘法器的单端本振输入的MOS混频器，其特征在于：由MOS管(M1～M6)和恒流源(Ioo)组成，电流输出信号(io1)与MOS管(M2)和(M3)的漏极相连，而电流输出信号(io2)与(M1)和(M4)的漏极相连，MOS管(M1和M2)的源极耦合通过恒流源(Ioo)接地，MOS管(M1)的栅极接至MOS管(M3)的源极和MOS管(M5)的漏极，而MOS管(M2)的栅极则接至MOS管(M4)的源极和MOS管(M6)的漏极；MOS管(M3)的源极与MOS管(M5)的漏极相连，MOS管(M3)与MOS管(M5)以串联方式级联，而MOS管(M4)的源极与MOS管(M6)的漏极相连，MOS管(M4)与(M6)同样的以串联方式级联；MOS管(M5)和(M6)的源极耦合直接接地。
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