[实用新型]生长准单畴超导块材装置无效
| 申请号： | 200620041455.9 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN2910924Y | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 邱静和;徐克西 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C04B35/64;C04B35/50 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种生长准单畴超导块材装置。它包括一个立式管状电阻炉和安装在炉壁上的温度传感器，所述的立式管状电阻炉的炉膛中心放置一个搁置超导块材样品的伞状支架，所述的伞状支架的顶面离炉底高度与所述的温度传感器安装位置离炉底高度相同。实验证明，利用本实用新型提供的装置，能烧结出YBaCuO单畴超导块材，直径为20毫米磁悬浮力每平方厘米13牛顿的理想的准单畴超导块材。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 准单畴 超导 装置 | ||
【主权项】：
1一种生长准单畴超导块材装置，包括一个立式管状电阻炉(1)和安装在炉壁上的温度传感器(2)，其特征在于所述的立式管状电阻炉(1)的炉膛中心放置一个櫊置超导块材样品的伞状支架(5)，所述的伞状支架(5)的顶面离炉底(6)高度与所述的温度传感器(2)安装位置离炉底(6)高度相同。
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